InGaAs點(diǎn)元探測器LD-GAP500 三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范圍。通過(guò)改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測器的響應度在終用戶(hù)所要求的波長(cháng)條件下達到大值，從而提高信噪比。
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InGaAs點(diǎn)元探測器三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范圍。通過(guò)改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測器的響應度在終用戶(hù)所要求的波長(cháng)條件下達到大值，從而提高信噪比。
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